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申请(专利)号:CN01140468.X
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申请号:  CN01140468.X 申请日:  2001.12.10
名称:  金单晶纳米岛阵列薄膜电极的制备方法
公开(公告)号:  CN1356543 公开(公告)日:  2002.07.03
主分类号:  G01N27/30 分案原申请号:  <%=patentItem.DAN%>
分类号:  G01N27/30
颁证日:  <%=patentItem.LD%> 优先权:  <%=patentItem.PR%>
申请(专利权)人:  中国科学院长春应用化学研究所
地址:  130022吉林省长春市人民大街159号
发明(设计)人:  金永东;董绍俊 国际申请:  <%=patentItem.IAN%>
国际公布:  <%=patentItem.IPN%> 进入国家日期:  <%=patentItem.DEN%>
专利代理机构:  <%=patentItem.AGC%> 代理人:  <%=patentItem.AGT%>
国省代码:  吉林;22
欧洲主分类号:  <%=patentItem.PEC%> 欧洲分类号:  <%=patentItem.SEC%>
本国主分类号:  <%=patentItem.PNC%> 本国分类号:  <%=patentItem.SNC%>
 
摘要
本发明属于金单晶纳米岛阵列薄膜及电极的制备方法。该方法以氨基丙基三甲氧基硅烷修饰玻片或氧化铟锡导电玻璃上的直径约为2.5nm的金纳米粒子饱和自组装单层膜为催化模板,采用适当浓度的氯金酸/羟氨为化学镀金液,在室温静置状态下通过控制反应时间,可在纳米尺度范围内控制岛状金膜的取向生长,获得Au(111)纳米岛阵列薄膜及电极。该法制备Au(111)单晶纳米岛阵列薄膜操作简单,重现性好,且制得的电极具有Au(111)纳米电极阵列整体的电化学特征。
 
主权项
 1、一种金单晶纳米岛阵列薄膜的制备方法,其步骤如下: (1)将薄载玻片或氧化铟锡(ITO)导电玻璃经铬酸洗液浸泡; (2)在浓H2SO4/30%H2O2混合溶液中加热浸泡; (3)用去离子水和甲醇漂洗干净; (4)浸入含氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)的甲醇液中进行玻 片硅烷化处理; (5)取出已经硅烷化的玻片,用甲醇清洗,并立即浸入用柠檬 酸钠/硼氢化钠还原制备的金溶胶中,进行自组装; (6)取出玻片,水洗干净后即浸入羟氨和氯金酸的混合镀金液 中,在室温静置状态下反应; 其中 所述浓H2SO4/30%H2O2混合溶液的比例为3∶1,加热温度为70℃, 浸泡时间为10-30min; 所述甲醇为光谱纯; 所述硅烷化处理的甲醇溶液中氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS) 的含量为0.4-0.8ml;溶液的用量为4-8ml; 所述硅烷化处理时间为12-18小时; 所述金溶胶中金粒子的平均颗粒直径为2.0-3.0nm,自组装时 间为12-18小时; 所述混合镀金液中羟氨的含量为0.1-1mM,氯金酸的含量为0.05 -0.15%(w/v),混合镀金液的用量为4-8ml,反应时间为5-10min。